慶應義塾大学 内田研究室のホームページへようこそ。当研究室では、ナノスケール半導体を用いた電子デバイスの研究を行っています。CMOSデバイス(シリコン、その他高移動度半導体材料)、カーボン系材料デバイス(グラフェン、カーボンナノチューブ)、量子効果デバイス(単電子トランジスタ、トンネルトランジスタ)、熱電変換素子をキーワードとした研究を進めています。研究テーマの詳細はReserchのページをご覧ください。

10年以上に及ぶ企業での研究経験を生かし、産業的に重要性の高い研究と、将来を見据えた基礎研究のバランスを意識した運営を心がけています。デバイス内部で生じる物理現象を正確に理解すること、また物理的な理解に基づき新しいデバイスの提案を行うこと、既存の高性能デバイスの性能をさらに良くする方法の提案を行うことに力を入れています。

CREST採択

私たちの研究提案が科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業(CREST)に採択されました。

SET9-600

優秀卒業論文賞

B4伊部君が優秀卒業論文賞を受賞しました。おめでとう。IMG_3707

優秀学生賞

B4下川君が優秀学生賞を受賞しました。おめでとう。IMG_3705

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